IRF8736PBF vs IRF7832TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF8736PBF bằng Infineon và IRF7832TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF8736PBF IRF8736PBF - 30V 18A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF8736PBF - 30V 18A N-Channel HEXFET MOSFET SO-8 | Infineon

IRF8736PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET, 20A, SO-8 | Infineon

IRF7832TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF8736PBF IRF7832TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=70°C [DATA_NEEDED: ID at TA=70°C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 4.8 mΩ —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 6.0 mΩ (typical) —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) Logic-level (optimized for 5 V drive) —
Total Gate Charge Qg 17 nC (typical) —
Maximum Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Hộp SO-8 (8-SO) 8-SO (SOIC-8)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Cấp MSL 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / Lead-Free Lead-Free, RoHS3 Compliant —
Qualification Standard JEDEC —
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage and current) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
FET Type — N-Channel
Technology — HEXFET (trench MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Trạng thái RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá