IRF9Z34NPBF vs IRFR5505TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF9Z34NPBF bằng Infineon và IRFR5505TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF - 55V P-Ch HEXFET MOSFET, 19A, TO-220 | Infineon

IRF9Z34NPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF9Z34NPBF IRFR5505TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] [DATA_NEEDED: Ciss]
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +175C (junction) —
Hộp TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-252AA (DPAK), surface mount
Kiểu lắp đặt Through Hole Surface Mount
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Series — HEXFET
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — -72 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 110 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá