IRFB4110PBF vs IRF3007STRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFB4110PBF bằng Infineon và IRF3007STRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFB4110PBF IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF - 100V N-Channel MOSFET, 120A, TO-220AB | Infineon

IRFB4110PBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF3007STRLPBF IRF3007STRLPBF - 75V N-Channel MOSFET, 62A, D2PAK | Infineon

IRF3007STRLPBF - 75V N-Channel MOSFET, 62A, D2PAK | Infineon

IRF3007STRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFB4110PBF IRF3007STRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Trạng thái kho In Stock —
Giá đơn vị (USD) $1,55 —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C
Hộp TO-220AB (through-hole) —
Technology HEXFET (planar DMOS) —
Kiểu lắp đặt Through Hole Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Lead-Free, PBF suffix)
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Polarity — N-Channel
MOSFET Operating Mode — Enhancement
Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C — 62 A
Pulsed Drain Current (Idm) — 250 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 12.6 mΩ typical at VGS=10V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 110 nC typical
Maximum Power Dissipation (Pd) — 120 W at Tc=25°C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.0 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 40 °C/W
Package Type — D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount
Avalanche Rated — Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá