IRFR3806TRPBF vs IRFR220NTRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFR3806TRPBF bằng Infineon và IRFR220NTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFR3806TRPBF | IRFR220NTRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| Hộp / Vỏ | TO-252AA (DPAK) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55C to +150C (junction) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode | — | Enhancement |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 5 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 0.800 ohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | — | Low (per datasheet - HEXFET design) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 43 W |
| Hộp | — | TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 |
| Cấp MSL | — | 1 |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) |
| Technology Family | — | HEXFET, Planar, Generation 3 |