IRFZ44NPBF vs IRF520NPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRFZ44NPBF bằng Infineon và IRF520NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRFZ44NPBF | IRF520NPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 17.5 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 94 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | 62 C/W | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55C to +175C | — |
| Hộp | TO-220AB (3-pin + tab) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (vertical DMOS) |
| Avalanche Energy Rating (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS rating] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | HEXFET |
| Drain-to-Source Voltage (V_DSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | — | 9.7 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 200 mOhm |
| Total Gate Charge (Q_g) | — | 16.7 nC |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | — | 48 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55C to +175C |
| Cấp MSL | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |