IRL540NSTRLPBF vs IRFS4321TRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRL540NSTRLPBF bằng Infineon và IRFS4321TRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRL540NSTRLPBF | IRFS4321TRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 36 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | 44 mΩ | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 49.3 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 140 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C | — |
| Hộp | TO-263 (D2PAK) | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) | Compliant |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 85 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 15 mOhm |
| RDS(on) Max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) Typ | — | 71 nC |
| Total Gate Charge (Qg) Max | — | 110 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 350 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) Max | — | 0.45 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) End-of-Life | — | 0.65 C/W (after 1000 cycles -55C to +150C) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Technology | — | IR HEXFET (IR MOSFET) |