IRSM808-105MH vs IRSM808-105MHTR So sánh
So sánh chi tiết song song của IRSM808-105MH bằng Infineon và IRSM808-105MHTR bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRSM808-105MH | IRSM808-105MHTR |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | Motor Drivers | Motor Drivers |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Cấu trúc | Half-bridge (2 FREDFET switches + HVIC driver) | Half-Bridge (High-Side + Low-Side) |
| Drain-Source Blocking Voltage (VDS) | 500 V | 500 V |
| Continuous Drain Current (ID @ TC=25C) | 10 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.8 ohm max | — |
| Maximum Switching Power | 200 W | — |
| Gate Driver | Integrated HVIC (half-bridge, bootstrap) | Integrated high-voltage level-shift HVIC |
| Dead-Time Generation | Internal (configurable via DT pin) | Integrated (prevents cross-conduction) |
| Supply Voltage (VCC) | 15 V typical | — |
| Bootstrap Supply (VB) | up to 500 V + 15 V | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes (VCC and VBS) | — |
| Logic Input Voltage (HIN/LIN) | 3.3 V / 5 V compatible | — |
| Fault Output | Yes (active-low FAULT pin) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -40C to +125C (TJ) | -40C to +125C (junction) |
| Hộp | 31-PQFN 8x9 mm (also called QFN 8x9, isolated) | 31-PQFN (8x9 mm) with exposed thermal pad |
| Isolation Voltage | 1500 Vrms (per package, functional isolation) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Cấp MSL | 3 | 3 (per JEDEC J-STD-020) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Output Current | — | 10 A |
| Continuous Motor Power | — | 200 W |
| Power Switch Technology | — | Trench FREDFET (low RDS(on) MOSFET) |
| Logic Supply Voltage (VCC) | — | 13.5 V to 16.5 V |
| Bootstrap Diode | — | Integrated |
| Protection Features | — | Over-current, Under-voltage lockout (UVLO), Thermal shutdown |
| Logic Input Compatibility | — | 3.3 V / 5 V CMOS |
| Isolation | — | Electrically isolated thermal pad (high-voltage creepage per IPM package) |