ISC011N03L5SATMA1 vs IAUT300N10S5N015ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC011N03L5SATMA1 bằng Infineon và IAUT300N10S5N015ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 - 100V 300A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUT300N10S5N015ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC011N03L5SATMA1 | IAUT300N10S5N015ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 / StrongIRFET 30 V | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta=25C | 37 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25C | 96 W | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (TDSON EP, 8-pin, exposed pad) | PG-HSOF-8-1 (HSOF-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (TJ) | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | OptiMOS 5 N-Channel Power MOSFET |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 300 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| RDS(on) (typ, VGS=10V) | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55°C to +175°C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | RoHS compliant (Green product) |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Polarity | — | N-Channel |
| Mode of Operation | — | Enhancement-mode |