ISC015N04NM5ATMA1 vs IAUC100N04S6L025ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC015N04NM5ATMA1 bằng Infineon và IAUC100N04S6L025ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 - 40V 1.5mOhm OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
ISC015N04NM5ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC015N04NM5ATMA1 | IAUC100N04S6L025ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 6 40V trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số chân | 8 | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 2.5 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 62 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55 C to +175 C |
| Hộp | — | PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Lead-Free | — | Yes |