ISC040N10NM7ATMA1 vs ISC011N04NM7VATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISC040N10NM7ATMA1 bằng Infineon và ISC011N04NM7VATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC040N10NM7ATMA1 - 100V 130A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC040N10NM7ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC011N04NM7VATMA1 - 40V 1.1mΩ OptiMOS 7 N-MOSFET | Infineon
ISC011N04NM7VATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISC040N10NM7ATMA1 | ISC011N04NM7VATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 130 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 150 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| RDS(on) @ VGS=10V | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-34 (SSO8) | PG-TDSON-8 (source-down) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (TJ max) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 38 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 256 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.1 mΩ |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 136 W |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | — | Up to 3.2 V |
| Technology | — | Trench MOSFET, silicon |
| Short-Circuit Withstand | — | Yes (current-limited) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (per Infineon product page) |