ISZ056N03LF2SATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISZ056N03LF2SATMA1 bằng Infineon và IQE020N04LM6CGSCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISZ056N03LF2SATMA1 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) |
| Hộp | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | — | 166 A |
| Maximum RDS(on) | — | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 107 W |
| Số chân | — | 9 |
| Lead-Free | — | Yes |
| Cấp MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) |
| Technology | — | OptiMOS 6 trench |