ISZ056N03LF2SATMA1 vs IQE020N04LM6CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISZ056N03LF2SATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE020N04LM6CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 - 30V 72A N-Ch StrongIRFET 2 MOSFET | Infineon
ISZ056N03LF2SATMA1 ✓ فعالInfineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISZ056N03LF2SATMA1 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | StrongIRFET 2 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 72 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V (typ) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 5.6 mOhm | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 52 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) |
| پیکیج | PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Part Family | — | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | — | 25 A |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | — | 166 A |
| Maximum RDS(on) | — | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) |
| Power Dissipation at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC=25°C | — | 107 W |
| پن کی تعداد | — | 9 |
| Lead-Free | — | Yes |
| MSL لیول | — | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) |
| Technology | — | OptiMOS 6 trench |