K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646F-BYK0 So sánh
So sánh chi tiết song song của K4B4G1646D-BMK0 bằng Samsung Electronics và K4B4G1646F-BYK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646F-BYK0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Density | 4 Gb | — |
| Tổ chức | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C to 95°C | 0°C to 95°C (TC) |
| Hộp | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Đông trùng haogen | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Kích thước bộ nhớ | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Điện áp cung cấp | — | 1.35V / 1.5V |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Giao diện | — | Parallel |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| Latency CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |