K4B4G1646D-BMK0 vs K4B4G1646F-BYK0 비교
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BMK0 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1600Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BMK0 ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BMK0 | K4B4G1646F-BYK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $1.80 |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Speed Grade | 1600 Mbps (PC3L-12800) | — |
| Voltage | 1.35 V | — |
| 동작 온도 | -40°C to 95°C | 0°C to 95°C (TC) |
| 패키지 | 96FBGA (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Die Version | D-die | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Number of Functions | 1 | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| 메모리 크기 | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.35V / 1.5V |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |