K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF70T00 So sánh

So sánh chi tiết song song của K6X0808C1D-GF55T bằng Samsung Electro-Mechanics và K6X0808C1D-GF70T00 bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-GF55T ✓ Hoạt động
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K6X0808C1D-GF55T K6X0808C1D-GF70T00
Thương hiệu Samsung Electro-Mechanics Samsung Electro-Mechanics
Danh mục DRAM DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Kích thước bộ nhớ 256 Kbit 256 Kbit
Tổ chức 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 70 ns
Điện áp cung cấp 5.0 V 5 V
Giao diện Parallel Parallel
Process Technology Full CMOS —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp 28-SOP (450 mil) 28-SOP
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Active Current [DATA_NEEDED: active current] [DATA_NEEDED: active current]
Data Retention Voltage Low data retention voltage supported (per datasheet) —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Address Bus Width 15 bit —
Bề rộng đường dữ liệu 8 bit —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Packaging Tape & Reel (T suffix) Tape & Reel (T00 suffix)
Technology — CMOS
I/O Type — Common Data I/O, TTL compatible
Clock / Refresh — Fully static, no clock or refresh required

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá