K6X0808C1D-GF55T vs K6X0808C1D-GF70T00 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K6X0808C1D-GF55T מאת Samsung Electro-Mechanics ו K6X0808C1D-GF70T00 מאת Samsung Electro-Mechanics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T - 32Kx8 55ns Async SRAM 5V | Samsung
K6X0808C1D-GF55T ✓ פעילSamsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung
K6X0808C1D-GF70T00 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K6X0808C1D-GF55T | K6X0808C1D-GF70T00 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electro-Mechanics |
| קטגוריה | DRAM | DRAM |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| גודל זיכרון | 256 Kbit | 256 Kbit |
| ארגון | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| מתח אספקה | 5.0 V | 5 V |
| ממשק | Parallel | Parallel |
| Process Technology | Full CMOS | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז | 28-SOP (450 mil) | 28-SOP |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Active Current | [DATA_NEEDED: active current] | [DATA_NEEDED: active current] |
| Data Retention Voltage | Low data retention voltage supported (per datasheet) | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| Address Bus Width | 15 bit | — |
| רוחב אפיק נתונים | 8 bit | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tape & Reel (T suffix) | Tape & Reel (T00 suffix) |
| Technology | — | CMOS |
| I/O Type | — | Common Data I/O, TTL compatible |
| Clock / Refresh | — | Fully static, no clock or refresh required |