K9DVGY8J5M vs K9PKGY8S7M-CCK0 So sánh
So sánh chi tiết song song của K9DVGY8J5M bằng Samsung Electronics và K9PKGY8S7M-CCK0 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9DVGY8J5M - Samsung V-NAND TLC Flash Memory Chip | Samsung
K9DVGY8J5M ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung
K9PKGY8S7M-CCK0 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9DVGY8J5M | K9PKGY8S7M-CCK0 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Product Type | Raw NAND Flash Memory | — |
| NAND Technology | Samsung V-NAND (3D TLC) | — |
| Flash ID | EC519A3F8CCB | — |
| Density | [DATA_NEEDED: die density (Gb)] | — |
| Organization (Page/Block) | [DATA_NEEDED: page and block organization] | — |
| Loại giao diện | [DATA_NEEDED: interface (toggle DDR / async)] | — |
| Supply Voltage (VCC) | [DATA_NEEDED: VCC voltage] | — |
| Supply Voltage (VCCQ) | [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] | — |
| Program Page Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: tPROG typical/us] | — |
| Block Erase Time (tBERS) | [DATA_NEEDED: tBERS typical/us] | — |
| Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: tR typical/us] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Package Type | [DATA_NEEDED: package type and dimensions] | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Lead free / RoHS compliant |
| Memory Capacity | — | 128 Gb (16 GB) |
| Kiểu bộ nhớ | — | NAND Flash |
| Cell Architecture | — | 3D V-NAND, MLC (2 bits/cell) |
| V-NAND Layers | — | 24 layers |
| Hộp | — | BGA |
| Giao diện | — | Asynchronous/toggle-mode NAND bus (per Samsung V-NAND family) |
| Điện áp cung cấp | — | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| Page Size | — | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] |
| Application Domain | — | Enterprise SSD (e.g., Samsung 845DC Pro) |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: read cycle time] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention specification] |