K9PDG08U5M vs K9F2808Q0B So sánh
So sánh chi tiết song song của K9PDG08U5M bằng Samsung Electronics và K9F2808Q0B bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ Cuối đờiSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K9PDG08U5M | K9F2808Q0B |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | EEPROM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Cuối chu kỳ cuộc sống | Cuối chu kỳ cuộc sống |
| Kiểu bộ nhớ | NAND Flash (SLC) | SLC NAND Flash (parallel) |
| Density | 4 Gbit | 128 Mbit |
| Tổ chức | x8 (multiplexed I/O) | 16M x 8 |
| Điện áp cung cấp | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | — |
| Hộp | TSOP1-48 | 63-pin TBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Access Interface | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control | — |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B, open-drain) | — |
| Write Protect Pin | Yes (/WP) | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Operating Voltage (VCC) | — | 1.7 V to 1.95 V |
| Read Access Speed | — | 50 ns |
| Cell Type | — | SLC (1 bit/cell) |
| Giao diện | — | 8-bit multiplexed address/data |
| Temperature Grade | — | C (commercial), I (industrial) |
| Typical Read Current (Icc1) | — | [DATA_NEEDED: Icc1] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Production Status | — | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete |