K9PDG08U5M vs K9F2808Q0B השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K9PDG08U5M מאת Samsung Electronics ו K9F2808Q0B מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Samsung Electronics
K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics
K9PDG08U5M ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | K9PDG08U5M | K9F2808Q0B |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | EEPROM | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | סוף חיים | סוף חיים |
| סוג זיכרון | NAND Flash (SLC) | SLC NAND Flash (parallel) |
| Density | 4 Gbit | 128 Mbit |
| ארגון | x8 (multiplexed I/O) | 16M x 8 |
| מתח אספקה | [DATA_NEEDED: supply voltage range] | — |
| מארז | TSOP1-48 | 63-pin TBGA |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | [DATA_NEEDED: block size] |
| Page Read Time | [DATA_NEEDED: page read time] | — |
| Page Program Time | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| Block Erase Time | [DATA_NEEDED: block erase time] | — |
| Access Interface | Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control | — |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B, open-drain) | — |
| Write Protect Pin | Yes (/WP) | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| סטטוס RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Operating Voltage (VCC) | — | 1.7 V to 1.95 V |
| Read Access Speed | — | 50 ns |
| Cell Type | — | SLC (1 bit/cell) |
| ממשק | — | 8-bit multiplexed address/data |
| Temperature Grade | — | C (commercial), I (industrial) |
| Typical Read Current (Icc1) | — | [DATA_NEEDED: Icc1] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Production Status | — | Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete |