K9PDG08U5M vs K9F2808Q0B مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K9PDG08U5M توسط Samsung Electronics و K9F2808Q0B توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K9PDG08U5M K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M - 4Gb x8 SLC NAND Flash 3.3V | Samsung Electronics

K9PDG08U5M ✗ پایان تولید
Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ پایان تولید

مقایسه مشخصات

پارامتر K9PDG08U5M K9F2808Q0B
برند Samsung Electronics Samsung Electronics
دسته‌بندی EEPROM Memory ICs
وضعیت چرخه عمر پایان عمر محصول پایان عمر محصول
نوع حافظه NAND Flash (SLC) SLC NAND Flash (parallel)
Density 4 Gbit 128 Mbit
سازمان x8 (multiplexed I/O) 16M x 8
ولتاژ تغذیه [DATA_NEEDED: supply voltage range] —
بسته‌بندی TSOP1-48 63-pin TBGA
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Page Read Time [DATA_NEEDED: page read time] —
Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Block Erase Time [DATA_NEEDED: block erase time] —
Access Interface Asynchronous multiplexed address/data, CLE/ALE control —
Ready/Busy Output Yes (R/B, open-drain) —
Write Protect Pin Yes (/WP) —
دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
وضعیت RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
Operating Voltage (VCC) — 1.7 V to 1.95 V
Read Access Speed — 50 ns
Cell Type — SLC (1 bit/cell)
رابط — 8-bit multiplexed address/data
Temperature Grade — C (commercial), I (industrial)
Typical Read Current (Icc1) — [DATA_NEEDED: Icc1]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Production Status — Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت