M29F200FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 So sánh

So sánh chi tiết song song của M29F200FT55N3F2 bằng Micron Technology và M29F400FT55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29F200FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs EEPROM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Density 2 Mbit (2097 kbits) —
Tổ chức 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 16
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Hộp 48-pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Giao diện Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Kích thước bộ nhớ — 4 Mbit
Điện áp cung cấp — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá