M29F400FT55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 So sánh
So sánh chi tiết song song của M29F400FT55N3F2 bằng Micron Technology và M29F800FT55N3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29F400FT55N3F2 | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | EEPROM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NOR Flash (SLC) | NOR Flash, Parallel |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Mbit | 8 Mbit |
| Tổ chức | 256K x 16 | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Điện áp cung cấp | 5 V | 5 V (single supply) |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| Hộp | 44-SO (SOP-44) | 48-pin TSOP |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (T) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Trạng thái RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |