MRF5S9101NR1 vs MRF5S9101MR1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF5S9101NR1 bằng NXP Semiconductors và MRF5S9101MR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MRF5S9101NR1 - 100W, 869-960MHz RF Power LDMOS | NXP Semiconductors
MRF5S9101NR1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF5S9101NR1 | MRF5S9101MR1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Obsolete |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Part Number | MRF5S9101NR1 | — |
| Kiểu transitor | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET | LDMOS (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) |
| Application | GSM / GSM EDGE base station PAs, 869–960 MHz | GSM / GSM EDGE / N-CDMA base station final-stage PA |
| Frequency Range | 869 MHz to 960 MHz | 869 MHz to 960 MHz |
| Test Frequency | 960 MHz | 960 MHz |
| Output Power (P1dB) | 100 W (typ) | — |
| Power Gain | 17.5 dB (typ at 960 MHz, 26 V, 700 mA) | 17.5 dB at 960 MHz |
| Drain Supply Voltage (Vdd) | 26 V (nominal), 28 V (max operating) | — |
| Drain Breakdown Voltage (Vdss) | 68 V | — |
| Quiescent Current (Idq) | 700 mA | — |
| Drain Current (Test) | 700 mA | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Junction Temperature (Max) | 200 °C | — |
| Storage Temperature Range | [DATA_NEEDED: storage temperature range] | — |
| Hộp / Vỏ | TO-270 WB-4 (CASE 1486-03), STYLE 1, plastic overmold | TO-270 WB-4 (Case 1486-03, Style 1) |
| Kiểu lắp đặt | Surface / Flange Mount (through-board thermal pad) | Chassis / Flange Mount (through-hole flange) |
| Lead-Free / RoHS | Lead-free (N suffix indicates lead-free transition) | — |
| Thermal Resistance (junction-to-case) | [DATA_NEEDED: theta_JC] | — |
| Technology | — | RF Power Field Effect Transistor |
| Test Voltage | — | 26 V |
| Test Current (Quiescent) | — | 700 mA |
| Power Output (POUT) | — | 100 W (CW) |
| Drain-Source Voltage (Rated) | — | 68 V |
| Drain Current Rating | — | [DATA_NEEDED: maximum continuous drain current] |
| Supplier Device Package | — | TO-270 WB-4 |
| Lead Free Status | — | Replaced by MRF5S9101NR1/NBR1 (form/fit/function equivalent) |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (lead-free N-suffix variants) |
| Nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| Thermal Resistance Junction-to-Case | — | [DATA_NEEDED: RθJC value] |