MRF7S21080HSR3 vs MRF7S21080HR3 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF7S21080HSR3 bằng NXP Semiconductors và MRF7S21080HR3 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MRF7S21080HSR3 - 22W RF Power MOSFET 2.1GHz NI-780S | NXP
MRF7S21080HSR3 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MRF7S21080HR3 - 22W, 2110-2170 MHz RF Power LDMOS | NXP
MRF7S21080HR3 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF7S21080HSR3 | MRF7S21080HR3 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale) | — |
| Part Number | MRF7S21080HSR3 | — |
| Kiểu transitor | Lateral N-Channel RF Power MOSFET | LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode |
| Technology | Lateral MOSFET, enhancement-mode | RF Power Field Effect Transistor (lateral MOSFET) |
| Operating Frequency | 2110 MHz to 2170 MHz | — |
| Test Frequency | 2167.5 MHz | 2.11 GHz to 2.17 GHz |
| Drain-Source Voltage (VDS max) | 65 V | — |
| Operating Drain Voltage (VDD) | 28 V | — |
| Quiescent Drain Current (IDQ) | 800 mA | — |
| Output Power (Average, W-CDMA) | 22 W | — |
| Power Gain | 18 dB | 18 dB |
| Drain Efficiency | 32% | — |
| ACPR at 5 MHz Offset | -38 dBc | — |
| Device Output Signal PAR | 6.5 dB at 0.01% CCDF | — |
| Channel Bandwidth | 3.84 MHz | 3.84 MHz |
| Hộp | NI-780S (NI-780HS) ceramic-metal sealed | NI-780S-4S2S (NI-780, 3-pin ceramic, flange mount) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount / Flange Mount |
| Configuration | Single | — |
| Terminal Form | Flat | — |
| Package Body Material | Ceramic, metal-sealed cofired | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per NXP product page) | — |
| Frequency Band | — | 2110 MHz to 2170 MHz |
| Rated Drain Voltage | — | 65 V |
| Test Supply Voltage (VDD) | — | 28 V |
| Quiescent Current (IDQ) | — | 800 mA |
| Output Power (Avg, W-CDMA) | — | 22 W Avg. |
| Drain Efficiency (typical) | — | 32 % |
| ACPR @ 5 MHz Offset | — | -38 dBc in 3.84 MHz channel |
| Output Signal PAR | — | 6.5 dB at 0.01% CCDF |
| Input Signal PAR | — | 7.5 dB at 0.01% CCDF |
| Application | — | CDMA / W-CDMA / LTE base-station power amplifiers |