NT5CC256M16DP-DI vs MT40A512M16JY-07EAIT:B So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16DP-DI bằng Nanya Technology và MT40A512M16JY-07EAIT:B bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16DP-DI MT40A512M16JY-07EAIT:B
Thương hiệu Nanya Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4Gb —
Tổ chức 256M x 16 512M x 16
Điện áp cung cấp 1.35V —
Tốc độ dữ liệu 1600 Mbps/pin (800MHz) 2666 MT/s
Hộp VFBGA-96 96-FBGA (8x14)
Khoảng nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C (industrial) -40°C to +105°C (AIT grade)
Latency CAS 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
Giao diện Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá