NT6AN8T0SA vs MT40A512M16JY-07EAIT:B So sánh

So sánh chi tiết song song của NT6AN8T0SA bằng Nanya Technology và MT40A512M16JY-07EAIT:B bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT6AN8T0SA NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA - 2Gb LPDDR2 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T0SA ✓ Hoạt động
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT6AN8T0SA MT40A512M16JY-07EAIT:B
Thương hiệu Nanya Technology Micron Technology
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ LPDDR2 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 2Gb —
Tổ chức 64M x 32 512M x 16
Điện áp cung cấp 1.2V —
I/O Voltage 1.2V —
Tốc độ dữ liệu 1066 Mbps (533 MHz) 2666 MT/s
Khoảng nhiệt độ hoạt động -30°C to +85°C -40°C to +105°C (AIT grade)
Hộp FBGA 96-FBGA (8x14)
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Refresh Period 64ms at 85°C —
Burst Length 4 or 8 —
On-Die Termination Yes —
DLL Yes —
Kích thước bộ nhớ — 8 Gbit
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Voltage — 2.5V, -125mV, +250mV
Giao diện — Parallel
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
I/O Type — 1.2V pseudo open-drain
VREFDQ — On-die, internal, adjustable
AEC-Q100 — Qualified (AIT suffix)
RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá