RTAX2000DL-1CQ352V vs RTAX1000SL-CQ352V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000DL-1CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX1000SL-CQ352V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352V ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX1000SL-CQ352V - 1M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX1000SL-CQ352V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000DL-1CQ352V | RTAX1000SL-CQ352V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-DSP (RTAX2000DL) | RTAX-SL (RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs) |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 (approx.) | 1,000,000 |
| Logic Cells | 29,568 | 18,144 |
| CLBs | 19,712 | — |
| Core Supply Voltage | 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) | — |
| Technology | Digital CMOS | — |
| Programming Technology | Antifuse (one-time programmable) | Antifuse (one-time programmable) |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (RTAX-DSP) | Radiation-tolerant, space-flight qualified family |
| Configuration | Live at power-up, no external boot memory | — |
| Speed Grade | -1 | — |
| Hộp | CQ352 (352-pin ceramic QFP) | 352-pin Ceramic CQFP (CQ352V) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Domain | Space-flight systems | — |
| Special Features | DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Embedded SRAM | [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] | — |
| CLBs (Logic Modules) | — | 12,096 |
| Maximum Toggle Frequency | — | 581 MHz |
| Process Technology | — | 0.15 um CMOS |
| Core Voltage | — | 1.5 V |
| Power-Up Behavior | — | Live at power-up (non-volatile) |
| Configuration Upset Immunity | — | No SEU in configuration memory (antifuse) |
| Embedded Memory | — | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic |
| I/O Voltage | — | [DATA_NEEDED: I/O bank voltage range] |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | [DATA_NEEDED: TID rating in krad (Si)] |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Estimated Equivalent Gates per CLB | — | [DATA_NEEDED: gates-per-CLB ratio] |