RTAX2000DL-1CQ352V vs RTAX2000D-1CQ352V So sánh

So sánh chi tiết song song của RTAX2000DL-1CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX2000D-1CQ352V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352V RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000DL-1CQ352V ✓ Hoạt động
Microchip Technology
RTAX2000D-1CQ352V RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000D-1CQ352V ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số RTAX2000DL-1CQ352V RTAX2000D-1CQ352V
Thương hiệu Microchip Technology Microchip Technology
Danh mục FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Family RTAX-DSP (RTAX2000DL) —
Equivalent System Gates 2,000,000 (approx.) —
Logic Cells 29,568 29,568
CLBs 19,712 19,712
Core Supply Voltage 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V) 1.425 V to 1.575 V (nominal 1.5 V)
Technology Digital CMOS Digital CMOS, antifuse (nonvolatile)
Programming Technology Antifuse (one-time programmable) —
Radiation Tolerance Radiation-tolerant (RTAX-DSP) —
Configuration Live at power-up, no external boot memory Live at power-up, single-chip, no external configuration device
Speed Grade -1 -1
Hộp CQ352 (352-pin ceramic QFP) CQFP-352 (CQ352), ceramic
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Application Domain Space-flight systems —
Special Features DSP multiply-accumulate blocks (DL variant) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Embedded SRAM [DATA_NEEDED: Embedded SRAM capacity] —
Equivalent Gates — 2,000,000
DSP Mathblocks — Up to 120
DSP MAC Performance — 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate
Embedded Memory — Up to 540 kbits with optional EDAC protection
Total Ionizing Dose (Functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose — 200 krad (Si)
Screening — RTAX-D (Condition A, tighter ICCA limits at 125C final electrical test)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá