RTAX2000S-1CGS624V vs RTAX2000S-1CG624PROTO So sánh

So sánh chi tiết song song của RTAX2000S-1CGS624V bằng Microchip Technology và RTAX2000S-1CG624PROTO bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Microchip Technology
RTAX2000S-1CGS624V RTAX2000S-1CGS624V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-1CGS624V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-1CGS624V ✓ Hoạt động
Microchip Technology
RTAX2000S-1CG624PROTO RTAX2000S-1CG624PROTO - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-1CG624PROTO - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip

RTAX2000S-1CG624PROTO ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số RTAX2000S-1CGS624V RTAX2000S-1CG624PROTO
Thương hiệu Microchip Technology Microchip Technology
Danh mục FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Family RTAX-S Radiation-Tolerant FPGA RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGA
Equivalent System Gates 2,000,000 2000000
Configurable Logic Blocks (CLBs) 21,504 21504
Total Logic Cells 32,256 —
ASIC Gate Capacity (companion) 250,000 gates —
Core Supply Voltage (nominal) 1.5 V —
Core Supply Voltage Range 1.425 V to 1.575 V —
Logic Family CMOS —
Speed Grade -1 -1
Nhiệt độ hoạt động -55C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Hộp CG624 Ceramic Column Grid Array (CCGA), 624 balls CCGA-624 (CG624 ceramic column grid array)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Programming Technology Antifuse (one-time programmable) —
SEU Hardening SEU-hardened registers, immune to single-event upsets —
Embedded Memory Embedded SRAM with built-in FIFO control logic 540 kbits (family max, with optional EDAC)
Configuration Live at power-up, single-chip (no external config device) Live at power-up (nonvolatile antifuse)
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Weight [DATA_NEEDED: package weight] —
Logic Cells — 32256
User I/Os (family max) — 684
Total Ionizing Dose (functional) — 300 krad (Si)
Total Ionizing Dose (parametric) — 200 krad (Si)
SEU Rate — Less than 1E-10 errors per bit-day
Maximum System Frequency — 350 MHz (family performance)
Technology — CMOS antifuse (one-time programmable)
Qualification Flow — PROTO (engineering prototype)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá