RTAX2000S-1CQ352V vs RTAX2000DL-1CQ352B So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000S-1CQ352V bằng Microchip Technology và RTAX2000DL-1CQ352B bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000S-1CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000S-1CQ352V ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000DL-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352B ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000S-1CQ352V | RTAX2000DL-1CQ352B |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Equivalent System Gates | 2,000,000 gates | 2000000 |
| Logic Cells | 32,256 cells | 29568 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 21,504 CLBs | 19712 |
| Process Technology | Digital CMOS | — |
| Speed Grade | -1 | — |
| Family | RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGAs | — |
| Hộp | CQ352 ceramic QFP, 352 pins | CQFP-352 (ceramic quad flat pack) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Live at power-up, single-chip | Live at power-up (antifuse, single chip) |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | 540 kbits (with optional EDAC protection) |
| Core Voltage | [DATA_NEEDED: core voltage] | — |
| I/O Voltage | [DATA_NEEDED: I/O voltage] | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Radiation Tolerance (TID) | [DATA_NEEDED: TID rating] | — |
| Cấp MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Core Supply Voltage (Nominal) | — | 1.5 V |
| Core Supply Voltage Range | — | 1.425 V to 1.575 V |
| Maximum Combinatorial Delay | — | 0.930 ns |
| DSP Mathblocks (max) | — | 120 |
| DSP MAC Performance | — | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate |
| Technology | — | CMOS, antifuse (OTP, nonvolatile) |
| Total Ionizing Dose (Functional) | — | 300 krad (Si) |
| Total Ionizing Dose (Parametric) | — | 200 krad (Si) |
| Terminal Count | — | 352 |
| Input / Output Terminals | — | 166 input, 166 output |
| Radiation Tolerance Class | — | Radiation-tolerant (space-flight) |