RTAX2000SL-1CGS624B vs RTAX2000SL-CGS624V So sánh
So sánh chi tiết song song của RTAX2000SL-1CGS624B bằng Microchip Technology và RTAX2000SL-CGS624V bằng Microchip Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Microchip Technology
RTAX2000SL-1CGS624B - Rad-Tolerant FPGA 2M Gates CCGA624 | Microchip
RTAX2000SL-1CGS624B ✓ Hoạt độngMicrochip Technology
RTAX2000SL-CGS624V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000SL-CGS624V ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | RTAX2000SL-1CGS624B | RTAX2000SL-CGS624V |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Danh mục | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Family | RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGA | RTAX-S/SL Radiation-Tolerant FPGA |
| Logic Blocks (CLBs) | 21504 | — |
| Equivalent System Gates | 2000000 | 2000000 |
| ASIC Gates | 250000 | — |
| Process Technology | 0.15 um CMOS | — |
| Core Supply Voltage | 1.5 V | [DATA_NEEDED: core supply voltage] |
| Speed Grade | -1 | [DATA_NEEDED: speed grade] |
| Tần số xung maksimum | 649 MHz (family max, Jotrin listing) | — |
| Programmability | One-Time Programmable (antifuse) | — |
| Configuration | Live at power-up, single-chip | One-time programmable antifuse, live at power-up |
| Embedded Memory | Embedded SRAM with built-in FIFO control logic | 540 kbits with optional EDAC protection |
| Radiation Tolerance | Radiation-tolerant (space-flight qualified family) | — |
| Hộp | 624-pin Ceramic Column Grid Array (CCGA / CGA-624, ceramic) | CG624 ceramic package |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| I/O Count | [DATA_NEEDED: user I/O count] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Logic Cells (CLBs) | — | 21504 |
| Technology | — | CMOS antifuse (nonvolatile) |
| User I/Os (maximum) | — | 684 |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | 300 krad (Si) functional / 200 krad (Si) parametric |
| Single-Event Upset Rate | — | Less than 1E-10 errors per bit-day |
| Embedded SRAM Features | — | Built-in FIFO control logic |
| Clock Architecture | — | Segmentable clock structures |
| Routing | — | Chip-wide highway routing, carry logic |
| Application Domain | — | Space-flight systems |
| I/O Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] |
| System Frequency (typical) | — | [DATA_NEEDED: system frequency] |