TJ30S06M3L(T6L1 vs IRF4905PBF So sánh
So sánh chi tiết song song của TJ30S06M3L(T6L1 bằng Toshiba và IRF4905PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | TJ30S06M3L(T6L1 | IRF4905PBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Toshiba | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | -60 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGSS) | +10 V / -20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | -30 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 68 W | — |
| RDS(ON) Max @ VGS=-10 V | 21.8 mΩ | — |
| RDS(ON) Typ @ VGS=-10 V | 16.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (Vth) | -3.0 V (typ) @ VDS=-1 mA | — |
| Drain Leakage (IDSS) Max | -10 µA @ VDS=-60 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 3950 pF | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +175°C (Tj) | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Hộp | DPAK+ (TO-252-3) | TO-220AB (through-hole) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Through Hole |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Technology | U-MOS (Silicon P-Channel MOS) | HEXFET (IR MOSFET) |
| FET Type | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -74 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 200 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 20 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Pin Configuration | — | Gate - Drain - Source (left to right) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) |
| Cấp MSL | — | 1 (not moisture-sensitive for TO-220) |