H5ANAG8NCR-UHC vs H5ANAG8NCJR-XNC 比較

詳細並排比較 H5ANAG8NCR-UHC 由 SK hynix 與 H5ANAG8NCJR-XNC 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

SK hynix
H5ANAG8NCJR-XNC H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NCJR-XNC ✓ 啟用中

規格比較

參數 H5ANAG8NCR-UHC H5ANAG8NCJR-XNC
品牌 SK hynix SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
庫存狀態 — In Stock
單價 (USD) — $65.63
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
組織 2G x 8 2G x 8
介面 DDR4 (JEDEC-compatible) —
Speed Grade UHC —
封裝 FBGA-78 FBGA-78 (7.5 x 11 mm)
安裝類型 Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS Code Yes —
REACH Compliance Compliant —
Part Life Cycle Code Active —
Manufacturer SK hynix Inc. —
資料速率 [DATA_NEEDED: data rate MT/s] 3200 MT/s (DDR4-3200)
CAS 延遲 [DATA_NEEDED: CL] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD value] —
VPP Supply Voltage [DATA_NEEDED: VPP value] —
工作溫度範圍 [DATA_NEEDED: temperature range] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank group count] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
工作溫度 — 0C to +95C
Process Node — 1z nm (non-EUV)
Die Bit Density — 0.296 Gb/mm2
Peak Bandwidth (per 64-bit channel) — 25.6 GB/s at DDR4-3200
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh specification]
RoHS 狀態 — Compliant
Base Part Number Family — H5ANAG8NCJR (16Gb DDR4 CMOS SDRAM)
Speed Grade Suffix — -XNC (0~95C commercial)

資料表與資源

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