K3KL3L30CM-BGCT vs K3KL2L20DM-JGCT 比較

詳細並排比較 K3KL3L30CM-BGCT 由 Samsung Electronics 與 K3KL2L20DM-JGCT 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K3KL3L30CM-BGCT K3KL3L30CM-BGCT - LPDDR5X-7500 64Gb DRAM | Samsung

K3KL3L30CM-BGCT - LPDDR5X-7500 64Gb DRAM | Samsung

K3KL3L30CM-BGCT ✓ 啟用中
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K3KL2L20DM-JGCT K3KL2L20DM-JGCT - 48Gb LPDDR5X 7500Mbps DRAM | Samsung

K3KL2L20DM-JGCT - 48Gb LPDDR5X 7500Mbps DRAM | Samsung

K3KL2L20DM-JGCT ✓ 啟用中

規格比較

參數 K3KL3L30CM-BGCT K3KL2L20DM-JGCT
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 64 Gbit 48 Gb
組織 x64 x64
Speed Grade LPDDR5X-7500 (7500 MT/s) —
Technology Stacked DRAM die, mobile BGA —
安裝類型 Surface Mount (BGA) Surface Mount
封裝 [DATA_NEEDED: exact package code and ball count] 441-ball FBGA
Core Voltage [DATA_NEEDED: VDD core voltage] —
I/O Voltage (VDDQ) [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25C to +85C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh scheme] —
Standards Compliance JEDEC LPDDR5X specification —
RoHS 狀態 [DATA_NEEDED: RoHS status] unknown
MSL 等級 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Class Mobile / embedded main memory —
資料速率 — 7500 Mbps
Supply Voltage (VDD1) — 1.8 V
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDDQ) — 0.5 V
Core Voltage Rail — 0.9 V
介面 — LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface)
Product Status — Mass Production
Generation — LPDDR5X (1.25x speed, 25% better power efficiency vs LPDDR5)
Application Segment — AI devices, automotive, mobile

資料表與資源

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