K3KL8L80DM-MGCU vs K3KLELE0DM-BGCU 比較

詳細並排比較 K3KL8L80DM-MGCU 由 Samsung Electronics 與 K3KLELE0DM-BGCU 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K3KL8L80DM-MGCU K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU - 8Gb LPDDR5X DRAM 1Gx32 | Samsung

K3KL8L80DM-MGCU ✓ 啟用中
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K3KLELE0DM-BGCU K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU - 144Gb LPDDR5X 8533Mbps DRAM | Samsung

K3KLELE0DM-BGCU ✗ 停產

規格比較

參數 K3KL8L80DM-MGCU K3KLELE0DM-BGCU
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 停產終止
記憶體類型 LPDDR5X SDRAM LPDDR5X SDRAM
Density 8 Gbit 144 Gb
組織 1G x 32 x64
Supply Voltage (VDD) 1.05 V —
封裝 FBGA-315 496-ball FBGA
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
介面 LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 backward-compatible) LPDDR5X
資料速率 [DATA_NEEDED: max data rate / speed grade] 8533 Mbps
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -25 C to +85 C
Refresh Self-refresh with per-bank refresh support —
Power Management Deep Sleep Mode (LPDDR5 feature set) —
Configuration Single-die, 32-bit bus —
RoHS 狀態 unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 等級 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Application Segment Mobile / Automotive / Edge AI —
Supply Voltage (VDD1) — 1.8 V
Supply Voltage (VDD2) — 1.05 V
Supply Voltage (VDDQ) — 0.9 V
Supply Voltage (VDDCA) — 0.5 V
Application Class — AI and in-vehicle devices
Product Status — EOL
Power Efficiency vs Previous Generation — Approx. 25% better (per Samsung)
Speed vs Previous Generation — Approx. 1.25x faster (per Samsung)

資料表與資源

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