K3LK8K80CM-MFCP vs K3K8K80BM-MGCP 比較

詳細並排比較 K3LK8K80CM-MFCP 由 Samsung Electronics 與 K3K8K80BM-MGCP 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ 啟用中
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K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ 啟用中

規格比較

參數 K3LK8K80CM-MFCP K3K8K80BM-MGCP
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 LPDDR5 SDRAM LPDDR5 SDRAM (DRAM)
Density 48 Gbit (6 GB) 64 Gb
組織 [DATA_NEEDED: organization (x width)] 2G x 32
Pin Speed 6400 Mbps —
Data Rate (package) 51.2 GB/s (family max) —
介面 LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface) LPDDR5 (CMOS)
封裝 315-ball FBGA (MFCP) FBGA-315 (PBGA315)
Ball Count 315 —
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
工作溫度 -40 C to +105 C (automotive-grade) -25C to +85C
供應電壓 [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage] —
Power Saving vs LPDDR4X Approximately 20% —
Generation LPDDR5 (5th generation low-power DRAM) —
Application Grade Automotive-grade storage chip —
Place of Origin Johor, Malaysia —
RoHS 狀態 unknown Compliant
資料速率 — 6400 Mbps
Supply Voltages — 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V
Technology — CMOS
Memory Category — Volatile DRAM
Lead Free — Yes
Application Class — Specialized ICs / Memory
I/O Width — 32-bit

資料表與資源

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