MT40A512M16LY-062E AAT:E vs NT5AD512M16C4-JRU 比較

詳細並排比較 MT40A512M16LY-062E AAT:E 由 Micron Technology 與 NT5AD512M16C4-JRU 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 啟用中
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT40A512M16LY-062E AAT:E NT5AD512M16C4-JRU
品牌 Micron Technology Nanya Technology
類別 Memory ICs DRAM
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $83.00
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
記憶體容量 8 Gbit (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
介面 Parallel CMOS, DDR4
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (3200 Mbps data rate)
Access Time 19 ns —
供應電壓 1.2 V —
Speed Grade 062E —
封裝 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-ball FBGA (PBGA96)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +95 C (industrial grade)
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
RoHS 狀態 Compliant Green Product (per Nanya product page)
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Density — 8 Gbit
組織 — 512M x 16
CAS Latency (CL) — 22 at 1600 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

資料表與資源

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