MT41K256M16HA-107G:E vs H5TC4G63CFR-H9J 比較

詳細並排比較 MT41K256M16HA-107G:E 由 Micron Technology 與 H5TC4G63CFR-H9J 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E ✓ 啟用中
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT41K256M16HA-107G:E H5TC4G63CFR-H9J
品牌 Micron Technology SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
記憶體容量 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns —
供應電壓 1.35V —
介面 Parallel —
封裝 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
安裝類型 Surface Mount —
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 狀態 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
資料匯流排寬度 16 bit —
組織 256M x 16 256M x 16
CAS 延遲 [DATA_NEEDED: CAS latency] —
腳位數 96 —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
無鹵素 — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

資料表與資源

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