MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-PBL 比較

詳細並排比較 MT41K256M16HA-125 由 Micron Technology 與 H5TC4G63CFR-PBL 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 啟用中
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT41K256M16HA-125 H5TC4G63CFR-PBL
品牌 Micron Technology SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) $6.36 —
記憶體類型 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
記憶體容量 4Gbit (256M x 16) 4 Gb (256M x 16)
資料匯流排寬度 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
供應電壓 1.35 V 1.35 V
封裝 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
腳位數 96 —
安裝類型 Surface Mount —
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 狀態 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS 延遲 11 11, 12, 13
資料速率 — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Burst Length — 8
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85C
RoHS — Compliant
無鹵素 — Yes

資料表與資源

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