MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-PBL مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125 بواسطة Micron Technology و H5TC4G63CFR-PBL بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ نشط
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16HA-125 H5TC4G63CFR-PBL
العلامة التجارية Micron Technology SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $6.36 —
نوع الذاكرة SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
حجم الذاكرة 4Gbit (256M x 16) 4 Gb (256M x 16)
عرض ناقل البيانات 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
جهد التغذية 1.35 V 1.35 V
العلبة 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
عدد الدبابيس 96 —
نوع التركيب Surface Mount —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
زمن الوصول CAS 11 11, 12, 13
معدل البيانات — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Burst Length — 8
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85C
RoHS — Compliant
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر