MT41K256M16LY-107:N vs H5TQ4G63AFR-H9C 比較

詳細並排比較 MT41K256M16LY-107:N 由 Micron Technology 與 H5TQ4G63AFR-H9C 由 SK hynix. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ 啟用中
SK hynix
H5TQ4G63AFR-H9C H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TQ4G63AFR-H9C ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT41K256M16LY-107:N H5TQ4G63AFR-H9C
品牌 Micron Technology SK hynix
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
單價 (USD) — $6.50
記憶體類型 SDRAM - DDR3L DDR3 SDRAM
記憶體容量 4 Gbit —
組織 256M x 16 256M x 16
資料匯流排寬度 16 bit —
最大時脈頻率 933 MHz —
Access Time 20 ns —
供應電壓 1.35 V 1.5 V
封裝 / 外殼 96-FBGA (7.5x13.5) —
安裝方式 Surface Mount —
工作溫度範圍 0°C to +95°C (Tc) —
RoHS Compliant Compliant
Memory Format DRAM —
Technology DDR3L —
Supply Voltage - Min 1.283 V —
Supply Voltage - Max 1.45 V —
Density — 4 Gb
Clock Speed (tCK) — 0.255 ns
封裝 — 96-ball TFBGA
Package Shape — RECTANGULAR
Refresh Cycles — 8192
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — OTHER
無鹵素 — Yes
安裝類型 — Surface Mount
資料速率 — 3.9 Gbps per pin (approx)
Ball Pitch — 0.8 mm

資料表與資源

瀏覽所有產品 建立 BOM 索取報價