MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16 比較

詳細並排比較 MT41K256M16TW-107:P 由 Micron Technology 與 MT41K256M16 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ 啟用中
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MT41K256M16 MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 ✓ 啟用中

規格比較

參數 MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs DRAM
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM (1.35V)
記憶體容量 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz —
資料速率 1866 MT/s —
供應電壓 1.35V —
I/O Voltage 1.35V —
CAS 延遲 13 —
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 —
封裝 96-FBGA (8x14mm) 96-ball FBGA
工作溫度 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix]
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
RoHS 狀態 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
組織 — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35 V (1.5V-compatible mode supported)
Banks — 8
Speed Grade Options — -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options]
介面 — Parallel, source-synchronous DDR
On-Die Termination — Yes (ODT)
Refresh — 8K refresh cycles / 64 ms
CAS Latency Options — [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix]
Die Revision — Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs
ECCN — EAR99
Lead Free — Yes (per DigiKey product listing)

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