NT5CB256M16CP-DI vs MT41K256M16HA-107AAT:E 比較

詳細並排比較 NT5CB256M16CP-DI 由 Nanya Technology 與 MT41K256M16HA-107AAT:E 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 啟用中
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CB256M16CP-DI MT41K256M16HA-107AAT:E
品牌 Nanya Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
組織 256M x 16 256M x 16
Density 4 Gb —
供應電壓 1.35 V (DDR3L) 1.35V
資料速率 1600 Mbps/pin (max) 933 MHz (DDR3L-1866)
封裝 TFBGA-96 96-FBGA (9x14mm)
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作溫度範圍 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
記憶體容量 — 4Gbit (256M x 16)
Access Time — 20 ns
介面 — Parallel
工作溫度 — 0°C to +95°C (Tc)
安裝類型 — Surface Mount
RoHS 狀態 — Compliant
CAS 延遲 — 13 (typical)
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Refresh — Auto-refresh, self-refresh

資料表與資源

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