10M08SAE144I7G vs 10M08SAE144C8G مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 10M08SAE144I7G بواسطة Intel و 10M08SAE144C8G بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 10M08SAE144I7G 10M08SAE144C8G
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة نشط نشط
Family MAX 10 MAX 10
Logic Elements (LE) 8000 8000
Total RAM Bits 387072 (378 Kb) —
User Flash Memory 1540 Kb (dual-configuration) —
User I/O Pins 101 101
جهد التغذية 2.85 V to 3.465 V —
Core Voltage 3.3 V (single supply) —
درجة حرارة التشغيل -40°C to +100°C (TJ) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (LQFP)
العلبة 144-LQFP Exposed Pad (EQFP-144) 144-LQFP Exposed Pad (EQFP)
Supplier Device Package 144-EQFP EP —
Process Technology TSMC 55 nm CMOS 55 nm flash-based CMOS
Embedded Memory Type M9K SRAM blocks —
Multipliers (18x18) [DATA_NEEDED: multiplier block count] —
Integrated ADC Yes, 12-bit SAR 12-bit, 1 MSa/s, up to 17 analog inputs
Configuration Method JTAG / internal flash (instant-on) —
Soft Core Support Nios II —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Adaptive Logic Modules (ALM) — Not applicable (MAX 10 uses LE architecture, not ALM)
M9K Embedded Memory Blocks — 378 Kb total
MLAB Memory — [DATA_NEEDED: MLAB capacity]
Embedded 18x18 Multipliers — 24
Configuration Memory — Internal flash, dual-image
PLLs — 2 analog front-end PLLs
Maximum User I/O Voltage — 3.3 V (LVCMOS/LVTTL); LVDS supported
External Memory Interface — DDR3, DDR2, LPDDR2
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — 0C to 85C (commercial)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — [DATA_NEEDED: halogen status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر