10M08SAE144I7G vs 10M08SAE144C8G Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 10M08SAE144I7G tarafından Intel ve 10M08SAE144C8G tarafından IntelAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 10M08SAE144I7G 10M08SAE144C8G
Marka Intel Intel
Kategori FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Family MAX 10 MAX 10
Logic Elements (LE) 8000 8000
Total RAM Bits 387072 (378 Kb) —
User Flash Memory 1540 Kb (dual-configuration) —
User I/O Pins 101 101
Besleme Gerilimi 2.85 V to 3.465 V —
Core Voltage 3.3 V (single supply) —
İşletim Sıcaklığı -40°C to +100°C (TJ) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (LQFP)
Paket 144-LQFP Exposed Pad (EQFP-144) 144-LQFP Exposed Pad (EQFP)
Supplier Device Package 144-EQFP EP —
Process Technology TSMC 55 nm CMOS 55 nm flash-based CMOS
Embedded Memory Type M9K SRAM blocks —
Multipliers (18x18) [DATA_NEEDED: multiplier block count] —
Integrated ADC Yes, 12-bit SAR 12-bit, 1 MSa/s, up to 17 analog inputs
Configuration Method JTAG / internal flash (instant-on) —
Soft Core Support Nios II —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Adaptive Logic Modules (ALM) — Not applicable (MAX 10 uses LE architecture, not ALM)
M9K Embedded Memory Blocks — 378 Kb total
MLAB Memory — [DATA_NEEDED: MLAB capacity]
Embedded 18x18 Multipliers — 24
Configuration Memory — Internal flash, dual-image
PLLs — 2 analog front-end PLLs
Maximum User I/O Voltage — 3.3 V (LVCMOS/LVTTL); LVDS supported
External Memory Interface — DDR3, DDR2, LPDDR2
İşletim Jant Sıcaklığı — 0C to 85C (commercial)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — [DATA_NEEDED: halogen status]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin