1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3142MU12FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3122MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 1ED3142MU12FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Galvanically Isolated Gate Driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
العلبة PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Peak Source/Sink Output Current — 6.5 A (typical)
Isolation Voltage (DigiKey rating) — 3000 Vrms
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) — 2300 V
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) — [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max]
Input Supply Voltage (VCC1) — [DATA_NEEDED: value]
Propagation Delay (typical) — 42 ns
Target Power Switches — SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: junction/ambient range]
Protection Features — UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection
Output Stage — Separate source/sink pins, totem-pole
Family — Infineon EiceDRIVER 1ED31xx

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر