1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3142MU12FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3122MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 1ED3142MU12FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Galvanically Isolated Gate Driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 2 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Peak Source/Sink Output Current — 6.5 A (typical)
Isolation Voltage (DigiKey rating) — 3000 Vrms
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) — 2300 V
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) — [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max]
Input Supply Voltage (VCC1) — [DATA_NEEDED: value]
Propagation Delay (typical) — 42 ns
Target Power Switches — SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: junction/ambient range]
Protection Features — UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection
Output Stage — Separate source/sink pins, totem-pole
Family — Infineon EiceDRIVER 1ED31xx

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר