1ED3122MC12HXUMA1 vs 1ED3142MU12FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3122MC12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3142MU12FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3122MC12HXUMA1 1ED3142MU12FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) Galvanically Isolated Gate Driver IC
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 1
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) —
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-DSO-8-72 (wide-body DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 2 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Peak Source/Sink Output Current — 6.5 A (typical)
Isolation Voltage (DigiKey rating) — 3000 Vrms
Isolation Voltage (Manufacturer datasheet) — 2300 V
Output Supply Voltage (VCC2-VEE2) — [DATA_NEEDED: max value, typical datasheet 25 V max]
Input Supply Voltage (VCC1) — [DATA_NEEDED: value]
Propagation Delay (typical) — 42 ns
Target Power Switches — SiC MOSFETs, IGBTs, MOSFETs
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction/ambient range]
Protection Features — UVLO (output-side), DESAT short-circuit detection
Output Stage — Separate source/sink pins, totem-pole
Family — Infineon EiceDRIVER 1ED31xx

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin