1ED3142MC12HXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ 1ED3142MC12HXUMA1 بواسطة Infineon و 1EBN1001AEXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل 1ED3142MC12HXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
عدد المخارج 2 (separate source/sink) 2 (separate source and sink paths)
Configuration Inverting, Non-Inverting High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
العلبة PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر