1ED3142MC12HXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 1ED3142MC12HXUMA1 מאת Infineon ו 1EBN1001AEXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 1ED3142MC12HXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
מספר יציאות 2 (separate source/sink) 2 (separate source and sink paths)
Configuration Inverting, Non-Inverting High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
מארז PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
טמפרטורת פעולה — -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר